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2021年03月29日发布

我们每周对于半导体行业的思考进行梳理，从产业链上下游的交叉验证给予我们从多维度看待行业的视角和观点，并从中提炼出最契合投资主线的逻辑和判断。

回归到基本面的本源，从中长期维度上，扩张半导体行业成长的边界因子依然存在，下游应用端以5G/新能源汽车/云服务器为主线，具化到中国大陆地区，我们认为“国产替代”是当下时点的板块逻辑，“国产替代”下的“成长性”优于“周期性”考虑。

DRAM供需缺口空间大，2021年Q2预计价格涨幅1318%。细分应用领域来看，主要增长来自于：1）服务器DRAM价格预计2021年Q2上涨20%；2）消费/利基型DRAM价格预计2021年Q2上涨1518%；3）笔记本电脑DRAM价格预计2021年Q2上涨13~18%，因此2021年Q2DRAM在该领域的价格预计会持续上涨。

NAND Flash需求持续吃紧，2021年Q2预计价格涨幅38%。第二季度NAND Flash国内外供应商包含三星、海力士、长江存储等，将会持续扩张产能；需求端下游应用持续支撑；预计2021年Q2整体NAND Flash价格将会从2021年Q1小幅下跌510%，转为上涨3~8%。NAND Flash整体需求仍有吃紧的问题。

存储器技术不断升级，推动整体行业发展。其中两大存储领域主要厂商为韩国、日本、美国企业，因此存储行业技术推动主要以海外企业为主。2020年Q4全球DRAM产值为177亿美元，相较于2020年Q3提升1.1%；全球DRAM产业由前三大企业三星、海力士、美光垄断，CR3占比达到94.6%。全球NAND Flash产业由前六大企业三星、铠侠、西部、海力士、美光、英特尔垄断，CR6占比达到98.2%。

三星宣布下半年开始向DDR5过渡。三星于2021年3月25日发布新一代存储芯片计划，其中公司将会采用HKMG制程，扩展512GBDDR5存储器模组的产品组合，DDR5相交于DDR4速度提升2倍达到7200Mb/s且功耗降低13%，预计DDR5将于2021年下半年开始过度，并在2023年下半年开始取代DDR4。

SK海力士预定下半年推出176层产品。2020年12月SK海力士发布176层3DNAND技术，并对SSD控制器公司进行送样；产品的性能和优势包含，与公司128层技术相比，写入速度提升35%、读取速度提升20%、数据传输速度提升33%达到1.6Gb/s。

我们建议关注主要海内外半导体产业链上的设计、制造企业。建议关注：ASMPacific/长川科技/北方华创/雅克科技/华懋科技/晶瑞股份/洁美科技/卓胜微/思瑞浦/新洁能/中芯国际(港)/华虹半导体(港)

风险提示：疫情继续恶化；贸易战影响；需求不及预期