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2021年12月13日发布

本周行情概览：

本周申万半导体行业指数下跌 3.56%，同期创业板指数下跌 0.34%，上证综指上涨 1.63%，深证综指上涨 1.47%，中小板指上涨 2.82%，万得全 A 上涨1.16%。半导体行业指数显著跑输主要指数。 半导体细分板块整体有所下跌。 半导体细分板块中，半导体材料板块本周下跌 2.6%，分立器件板块本周下跌 2.7%，半导体设备板块本周下跌 1.4%，半导体制造板块本周上涨0.3%， IC 设计板块本周下跌 2.6%，封测板块本周下跌 3.4%，其他版块本周上涨 2.5%。

碳化硅具备高频/高压/高温等材料优势

SiC 物理特性相较于 Si 在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。 就器件类型而言， SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相似。但是， SiC 是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与 IGBT 相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。 然而， SiC 在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此 SiC 器件价格较高，具体实现全面商业化仍需一定的时间。

国内已开始建立碳化硅产业链，随着技术发展有望实现正向循环

根据 yole， Cree、英飞凌、罗姆、 ST 等欧美厂商占据了全球主要的 SiC 市场份额。并且， 2020 年全球半绝缘型 SiC 衬底市场中， Cree 与 II-IV 合计市占率达到 63%。 在 SiC 器件产业链中，衬底是最重要的制造环节，在 SiC器件中的成本占比达到 47%。 从产品布局来看，国内已有不少企业开始布局 SiC 市场，部分本土企业已开发出了 6 英寸导电性 SiC 衬底和高纯半绝缘 SiC 衬底， 同时也有本土企业开始建造 SiC 器件生产线。

建议关注：

1） 半导体设计： 圣邦股份/思瑞浦/澜起科技/晶晨股份/瑞芯微/中颖电子/斯达半导/宏微科技/新洁能/全志科技/恒玄科技/富瀚微/兆易创新/韦尔股份/卓胜微/晶丰明源/芯朋微/紫光国微/上海复旦

2） IDM: 闻泰科技/三安光电/时代电气/士兰微；

3） 晶圆代工： 中芯国际/华虹半导体；

4） 半导体设备材料：北方华创/雅克科技/上海新阳/中微公司/精测电子/华峰测控/长川科技/有研新材/江化微；

风险提示： 疫情继续恶化； 贸易战影响； 需求不及预期