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2021年05月23日发布

摩尔定律放缓，后摩尔时代来临

中共中央政治局委员、国务院副总理、国家科技体制改革和创新体系建设领导小组组长刘鹤主持召开国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议，讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。

摩尔定律：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。然而近些年，随着芯片工艺不断演进，硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，晶体管再变小变得愈加困难，成本也愈加高昂，因此摩尔定律逐渐放缓。同时，随着5G及物联网的进一步发展，接入网络的设备越来越多，对于算力及存储的需求迅速提升，以硅为主体的经典晶体管很难维持集成电路产业的持续发展，后摩尔时代到来。

后摩尔时代的创新，关注新集成、新材料、新架构

新集成：摩尔定律发展受限，先进封装因能同时提高产品功能和降低成本是主流发展方向，通过小型化和高集成实现终端电子产品的轻薄短小、低功耗等功能，降低厂商成本。据Yole预测，先进封装规模预计保持较高增速，2018-2024年CAGR达8%，2024年规模440亿美元，高于传统封装的2.4%复合增速。新架构：RISC-V推动指令集架构创新。而异构计算是将不同的任务分配给对应的芯片进行处理，能够充分发挥不同计算平台的优势以提升计算效率（如让CPU从事管理和调度，而将计算交给运算能力更强的GPU），随着AI技术的发展，异构架构已得到了广泛的应用，前景广阔。新材料：与第一代半导体Si、Ge相比，第二代及第三代半导体材料具有高频、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性。根据Yoledevelopment的预测，全球GaN射频器件市场规模将从2019年7.4亿美元达到2025年20亿美元，CAGR约12%；全球SiC功率器件市场规模从2018年3.7亿美元到2025年超25亿美元，高速增长。未来SiC将会取代Si作为大部分功率器件的材料，同时射频器件对GaAs、GaN等新材料需求较大，射频前端器件市场广阔，在后摩尔定律时代，是我国反超世界先进水平的绝佳机会。

后摩尔时代，先进封装、第三代半导体等领域机会较大

在后摩尔时代，先进封装、特色工艺、第二代及三代半导体等领域我们认为将获得较大发展机遇。受益标的：先进封装：长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技；特色工艺：中芯国际、华虹半导体、华润微、士兰微；第二代及第三代半导体：立昂微、三安光电、华润微、闻泰科技；半导体设备：北方华创、中微公司、华峰测控、长川科技、万业企业、芯源微。

风险提示：架构创新应用不及预期、中美贸易摩擦加剧、半导体需求不及预期、国产替代不及预期。