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2021年08月16日发布

本周行情概览：

本周半导体行情进入短期震荡。本周申万半导体行业指数下跌 6.63%，同期创业板指数下跌 4.18%，上证综指上涨 1.68%，深证综指下跌 0.19%，中小板指下跌 0.44%，万得全 A 上涨 1.29%。半导体行业指数显著跑输主要指数。

存储价格短期波动，但原厂维持谨慎乐观态度。

主要原厂商对 DRAM 需求持谨慎乐观态度。三星预计 2021 年全年 DRAM bit 增长在 20%左右，下半年将开始推动向 15nm DRAM 产能转换，并实现基于 EUV 工艺的 14nm DRAM 量产；SK 海力士已实现 1z nm 全面量产，Q3 将开始推动 1znm 技术的 16Gb DRAM 产能扩张，基于 EUV 工艺的 1αnm DRAM 产品已经量产，即将开始供货；美光表示下半年将带来 DDR5产品，同时认为目前终端需求并未得到完全的满足，供给紧张将持续到明年；南亚科技对整体市场需求持谨慎乐观态度，预计整体第三季的内存价格仍将小幅上扬。

目前供应商 NAND Flash 库存稳健，但供给端供应缺口仍在。Trendforce集邦咨询预测，第三季 NAND Flash 整体合约价将小幅上涨，季增510%。其中，受 Intel 新平台 Ice Lake 及原厂 SSD controller IC 产能紧缺影响， client SSD Q3 合约价预计上涨 38%， se SSD Q3 预计涨幅达 15%；低容量 eMMC Q2 已明显上涨，Q3 上调空间有限，预计上涨05% ； NAND Flash wafer 受供应商提高毛利驱动，预估季涨幅将达813%。

存储技术持续革新，主流厂商推动技术升级。

三星将继续扩大 EUV 技术在 DRAM 中的应用，下半年逐步推进 15nmDRAM 产能迁移，并继续扩大 EUV 技术在 DRAM 生产中的应用；美光发布首款搭载 176 层 3D TLC NAND 闪存的 PCIe 4.0 SSD，实现低功耗、高速度和高密度的存储解决方案；SK 海力士开始量产 EUV 1α 10nm DRAM，降低功耗并增加生产效率，同时海力士计划明年年初将 EUV 技术应用于下一代 DDR5 生产。

建议关注：

1） 半导体设计：晶晨股份/中颖电子/全志科技/瑞芯微/恒玄科技/兆易创新/富瀚微/圣邦股份/思瑞浦/韦尔股份/卓胜微/晶丰明源/芯朋微/斯达半导/新洁能/澜起科技/紫光国微/上海复旦

2） IDM: 闻泰科技/三安光电；

3） 晶圆代工：中芯国际/华虹半导体；

4） 半导体设备材料：北方华创/雅克科技/上海新阳/中微公司/精测电子/华峰测控/长川科技/有研新材/江化微；

风险提示：疫情恶化；贸易战影响；新产品研发推广不及预期；下游需求不及预期