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对于MOSFET的简单开关应用，下面的讨论就足够了。

• 通过产生反型区P型半导体材料来制作N型MOSFET （NMOS）。
• 高导电性的n型半导体的源极和漏极被P型衬底分开。
• 金属或多晶硅栅极覆盖源极和漏极之间的区域。

当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”。这种基本结构被称为n型MOSFET ，电路符号如图。

通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。图2显示了NMOS的俯视图，以解释器件的重要参数沟道长度和沟道宽度。

下图显示了NMOS的特性，显示了源漏电压和漏极电流的关系。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图3所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。

因此，MOSFET是集成电路中基本的开关元器件之一。