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薄膜沉积设备:国内厂商差异竞争,共同受益国产化率提升

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概述

2022年02月21日发布

薄膜沉积是半导体工艺三大核心步骤之一。薄膜沉积设备作为晶圆制造的核心设备之一,在晶圆制造环节设备投资占比仅次于光刻机,约占25%。根据SEMI和MaximizeMarketResearch的统计,2020年全球半导体设备市场规模达到712亿美元,其中薄膜沉积设备市场规模约172亿美元。目前,薄膜沉积设备中CVD类设备占比最高,2020年合计占比64%;溅射PVD类设备占整体市场的21%。PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型,占整体薄膜沉积设备市场的34%。

多因素驱动国产薄膜沉积设备需求:

a).国内产线建设极大拉动国产设备需求。贸易摩擦背景下,半导体设备国产化诉求增强,长江存储、上海积塔、中芯国际、华虹、士兰微、合肥晶合等国内晶圆厂在新增产能建设过程中积极导入国产设备,极大拉动国内半导体设备需求。

b).芯片工艺进步及结构复杂化拉动高性能薄膜设备需求。以CVD设备演进为例,过去主要为APCVD、LPCVD设备,目前主流的PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的薄膜沉积速度,未来HDPCVD、FCVD、ALD应用有望增加。

c).制程升级带动薄膜沉积设备用量提升。以中芯国际为例,一条1万片产能的180nm8寸晶圆产线CVD和PVD设备用量平均约为9.9台和4.8台,而一条1万片90nm12寸晶圆产线CVD和PVD设备用量分别可达42台和24台。

d).3DNAND堆叠层数增加拉动薄膜沉积设备需求。存储器领域制造工艺中,目前增加集成度的主要方法是增大三维立体堆叠的层数,叠堆层数从32/64层向128/196层发展,每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,催生出更多设备需求。未来长江存储196层3DNAND突破和产能建设有望拉动更多国产薄膜沉积设备需求。

薄膜沉积设备国产化率估计仅5.5%(按设备数量口径)。近年来我国半导体设备国产化速度快速增长,但从整体看我国半导体行业制造仍需大量进口设备支持,国产化依然处于较低水平。我们统计了2020年1月1日至2022年2月13日国内部分主要晶圆制造产线的薄膜沉积设备招标情况,6家厂商共招标薄膜沉积设备1060台(仅PVD和CVD类设备),国内厂商中标58台,其中拓荆科技中标40台(主要为PECVD设备),国内市占率为3.8%;北方华创中标18台(主要为PVD设备),国内市占率1.7%。总体来看,目前国内薄膜沉积设备国产化率估计仅5.5%(按设备数量口径)。

投资建议与投资标的

我们看好半导体设备行业,薄膜沉积设备领域,建议关注:

1)拓荆科技:引领PECVD国产化,具备SACVD、ALD供应能力;

2)北方华创:引领PVD国产化,具备APCVD、LPCVD、PECVD、ALD供应能力;

3)中微公司:持有拓荆11%股权,已组建团队开发LPCVD和EPI设备,在LED及mini LED的MOCVD领域占据国内大多数份额。

风险提示

技术创新、国产化不及预期;竞争加剧;统计误差

理工酷提示:

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