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2021年12月27日发布

投资建议

解决充电及续航焦虑， 800V 系统应运而生。 新能源汽车发展如火如荼，在动力性能、智能化、节省成本等方面优势明显，但电动汽车仍然面临续航里程焦虑的问题，为了延长续航里程，各大厂商纷纷加装电池，超过一定电量之后的加电池策略，续航边际收益降低。随着电池容量的增加，续航焦虑已经降低不少，充电焦虑开始浮出水面，快充能有效的解决充电及续航焦虑，新能源汽车 800V 高压平台方案应运而生。小鹏发布 G9， 800V 平台采用SiC 器件，可实现充电 5 分钟，续航 200 公里；岚图 800V 系统可实现充电10 分钟，续航 400 公里；目前全球已推出或确定推出 800V 系统的汽车品牌多达 20 多家，基于 800V系统核心优势明显，我们研判在电动汽车领域有望快速渗透，看好受益产业链。

行业观点

800V 高电压系统，碳化硅深度受益。 功率器件是电动汽车逆变器的核心能量转换单元，如果直流母线电压提升到 800V 以上，那么对应的功率器件耐压则需要提高到 1200V左右。 SiC 具有高耐压特性，在 1200V的耐压下阻抗远低于 Si，对应的导通损耗会相应降低，同时由于 SiC 可以在 1200V耐压下选择 MOSFET 封装，可以大幅降低开关损耗。根据 ST 数据，碳化硅器件损耗大幅低于 Si 基 IGBT，在常用的 25%的负载下，碳化硅器件损耗低于IGBT 80%，在 1200V 时优势更加明显。 90%的行车工况是在主驱电机额定功率 30%以内，处于碳化硅的高效区； SiC 主驱使得电源频率和电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小。根据英飞凌、福特、奔驰、现代等公司研究数据， SiC 应用于 800V 系统，可整体节能 5-10%。此外，车载OBC、 DC-DC、 PDU 开始大规模应用碳化硅，车载 OBC 采用碳化硅器件，系统效率可提升 1.5% - 2.0%；配套的高压快充、超充电桩也增加了碳化硅的用量。 Yole 预测， 2026 年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到 50 亿美元，其中 60%以上用于新能源汽车领域。

隔离芯片量价齐升。 800V 电驱动系统具有更高的瞬态共模干扰，对于逆变器的隔离驱动芯片来说，需要能够承受超过 100kV/us 的共模瞬态干扰。随着800V 电压的提高，系统需要更高的原副边绝缘耐压需求。主要体现在两个方面，一个是绝缘工作电压。对于 800V 电压的系统来说，其跨隔离带的隔离芯片需要承受至少 800V 的绝缘工作电压，保证至少 15-20 年的工作寿命。整体来看， 800V系统隔离芯片的使用量及价值量均有大幅的提升。

薄膜电容及高压直流继电器价值量提升。 800V 系统 SiC 器件的应用，噪音对策变得越来越重要，有时会发生较大的浪涌电压。整体来看， 800V 系统对薄膜电容的使用温度、使用电压会提升，可靠性、稳定性要求也进一步提升，预测价值量也有一定程度的提升。 800V 系统对高压继电器的要求进一步提高，原来树脂封装需改用陶瓷封装， 800V 平台电压电流更高、电弧更严重，对耐压等级、载流能力、灭弧、使用寿命等性能要求提高，产品需要在触点材料、灭弧技术等多方面改进，价值量也有一定的提升。

推荐组合： 三安光电、法拉电子、纳芯微、斯达半导体、时代电气。

风险提示

800V系统渗透率不达预期， SiC 成本居高不下，新能源车发展低于预期。