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2022年08月22日发布

要点

天岳先进公告获得海外导电性碳化硅衬底订单。天岳先进2022年7月22日发布公告，根据公司战略规划及经营发展需求，于近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，按照合同约定年度基准单价测算（美元兑人民币汇率以6.7折算），预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。

碳化硅衬底材料主要有两大应用领域，分别是半绝缘射频应用领域和导电型电子应用领域。其中，半绝缘型产品主要应用在5G通讯、航空航天为代表的射频领域，导电型产品则主要应用于新能源汽车、光伏储能、电网等领域。天岳先进两种产品都具备，未来将重点服务通讯、电动汽车、储能、光伏发电、充电桩、智能电网等重点行业。

天岳先进半绝缘型产品涵盖4英寸和6英寸，都已经实现批量供货。而目前导电型的6寸衬底已经大量开始供货。8英寸的衬底现在处于工艺固化、产品优化阶段，正在为批量生产做最后的冲刺。未来天岳先进8英寸导电型衬底有望批量供应市场。

公司导电型衬底在22年6月也开始了大量批量供货，全面实现了我国碳化硅衬底的本土化，逐步成为拥有国际领先技术储备和技术优势的半导体材料。此次销售合同的签订，充分说明了公司导电型产品已经得到国内外知名客户认可，未来将逐步提高国际市场的占有率。

Wolfspeed公告2022年第四财季报告，大幅上调2026年收入预期。

根据公告，Wolfspeed第四财季营业收入为2.285亿美元，同比增长56.7%。按公认会计原则计算，该公司的毛利率为34.5%，净亏损为6180万美元，摊薄每股亏损0.5美元。设计收入为26亿美元。全年收入为7.462亿美元，同比增长42%。GAAP毛利率为33.4%，持续经营净亏损2.951亿美元，摊薄每股亏损2.46美元。

公司预期FY23Q1收入2.33-2.48亿美金，高于前期指引的2.26亿；公司看好SiC行业未来发展前景，上调FY26年收入指引至27-29亿美金，高于前期指引的21亿美金。

Wolfspeed在莫霍克谷开设了世界上第一个全自动200毫米碳化硅晶圆厂，在提高盈利能力的同时，公司的收入增长方面也取得了重大进展。

新能源汽车等下游驱动碳化硅器件市场空间高速增长。在新能源汽车上，碳化硅在

功率应用中具备多种优势，能够在高温、高压等工作环境下工作，同时能源转换效率更高，所以被认为是一种超越硅极限的功率器件材料，为碳化硅MOSFET提供了广阔的舞台。据Yole统计，截至2022年，比亚迪的Han-EV和现代的IONIQ5通过提供快速充电功能获得了不错的销量。Nio、Xpeng等更多OEM企业计划在2022年将碳化硅器件推向市场。

除新能源汽车外，储能、充电桩、轨道交通、智能电网等也将大规模应用功率器件，随着器件的小型化与对效率要求提升，采用化合物半导体制成的电力电子器件可覆盖大功率、高频与全控型领域，其中碳化硅的出现符合未来能源效率提升的趋势。

据Yole，预计到2027年，碳化硅器件市场将从2021年的10亿美元业务增长到超过60亿美元，年复合增长率可达34%。

根据IHSMarkit数据，受新能源汽车庞大需求的驱动，以及电力、光伏逆变器等等领域的带动，预计到2027年SiC功率器件的市场规模将超过100亿美元，行业发展核心受益环节是衬底生产厂商，未来公司将充分受益于碳化硅行业的高景气度，实现业绩增长。

天岳先进（688234.SH）是国内领先的碳化硅衬底企业。公司是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体衬底材料在5G通信、电动汽车、新能源、国防等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。目前，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。在国外部分发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下，公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬底产品，实现我国核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。公司产品已批量供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被国外知名的半导体公司使用。在导电型碳化硅衬底领域，公司6英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于2019年中标国家电网的采购计划。2021年公司销售衬底约57000片。近年来为满足日益增长的市场需求，抢占产业高地，公司积极优化产能布局。公司已在山东济南、济宁建立碳化硅衬底生产基地，主要生产半绝缘型衬底；上海临港项目定位为6英寸导电型碳化硅衬底生产基地。随着临港项目的建设，预期公司产能将得到持续提升。同时公司在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。2021年公司实现营收/归母净利润4.94/0.90亿元，同比分别增长16.25%/114.02%，公司22Q1实现营收/归母净利润0.68/-0.44亿元，同比分别下滑46.69%/283.20%。

三安光电（600703.SH）IDM一体化布局碳化硅业务。产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化镓产品。碳化硅二极管在2021年新开拓送样客户超过500家，出货客户超过200家，超过60种产品已进入量产阶段，在PFC电源标杆客户维谛、比特、长城等；光伏逆变器阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等国内前20大客户均已进入；在车载充电机威迈斯、弗迪动力（比亚迪）等客户；在家电领域格力、长虹等；在充电桩及UPS英飞源、科华、英威腾、嘉盛等，各细分应用市场标杆客户实现稳定供货，借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局，已与国际标杆客户实现战略合作，海外市场有所突破。在硅基氮化镓产品方面，完成约60家客户工程送样及系统验证，24家进入量产阶段，产品性能优越。碳化硅MOSFET工业级产品已送样客户验证，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试；碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破，新能源汽车市场是电力电子产品线的核心应用市场与重要的成长动力。2021年公司实现营收/归母净利润125.72/13.13亿元，同比分别增长48.71%/29.20%，公司22Q1实现营收/归母净利润31.07/4.29亿元，同比分别增长14.35%和下滑22.94%。

露笑科技（002617.SZ）引进资深科研团队布局碳化硅衬底。公司引进国内最早从事碳化硅晶体生长研究的陈之战教授研究团队。陈之战博士1998年开始从事碳化硅晶体的生长研究，拥有24年的丰富经验。陈之战博士长期在中国科学院上海硅酸盐所工作，先后任助理研究员、副研究员和研究员，率先在国内开展碳化硅晶体生长、加工研究、科研经费超亿元，发表论文100余篇，授权专利50余项，出版专著一本。公司碳化硅业务主要通过控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司实施。合肥露笑半导体自2021年6月起，生长和加工设备陆续入场调试。截至2021年12月，完成衬底片加工车间建设并投入使用。现已具备年产10万片的产能规模，实现了6英寸衬底片的销售，正处于产能爬坡上升期。2021年公司实现营收/归母净利润35.53/0.67亿元，同比分别增长24.75%和下滑48.57%，22Q1公司营收/归母净利润分别为8.10/-0.31亿元，同比分别下滑7.57%/134.74%。

东尼电子（603595.SH）募投项目切入碳化硅衬底业务。2021年11月，公司以“年产12万片碳化硅半导体材料项目”为募投项目的非公开发行股票发行完成，其中募集资金3.3亿元将投资于该项目，为项目后续发展提供有效的保障，预计将于2023年11月达产。目前公司已拿到碳化硅下游优质外延片生产厂商的来料、成品等检测结果，反馈良好，公司将继续配合客户要求进行批量验证，验证产品的一致性和稳定性，并及时沟通产品验证情况，推进后续的量产。但目前尚未得到终端客户的认证，也尚未获得订单；产品送样会形成少量收入。2021年公司实现营收/归母净利润13.39/0.33亿元，同比分别增长44.27%/-30.14%，22H1预告实现归母净利润0.64亿元，同比增长321.96%。

斯达半导（603290.SZ）多个SiCMOSFET模块项目定点提供增长驱动力。2021年，公司继续布局宽禁带功率半导体器件。在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类SiC模块得到进一步的推广应用。在新能源汽车领域，公司新增多个使用全SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，将对公司2023年-2029年SiC模块销售增长提供持续推动力。2021年公司实现营收/归母净利润17.07/3.98亿元，同比分别增长77.22%/120.49%，22H1预告实现归母净利润3.4-3.5亿元，同比增长120.80%-127.29%。

士兰微（600460.SZ）士兰明稼启动SiC功率器件生产线。2021年，公司SiC功率器件的中试线已在上半年实现通线。目前公司已完成车规级SiC-MOSFET器件的研发，正在做全面的可靠性评估，将要送客户评价并开始量产。2022年7月30日公司公告，士兰明镓启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”。士兰明镓拟建设一条6寸SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6寸SiC功率器件芯片的产能（主要产品为SiCMOSFET、SiCSBD）。本项目是实现士兰微在电动汽车、新能源市场整体战略布局的规划之一，有利于加快实现士兰微SiC功率器件的产业化，满足日益增长的新能源领域的市场需求，推动士兰微主营业务持续成长。2021年公司实现营收/归母净利润71.94/15.18亿元，同比分别增长68.07%/2145.25%，22Q1公司营收/归母净利润分别为20.01/2.68亿元，同比增长35.65%/54.54%。

投资建议：新能源汽车、储能、充电桩、轨道交通、智能电网等下游应用驱动SiC行业规模快速增长。建议关注：

（1）天岳先进：国内碳化硅衬底龙头；

（2）三安光电：IDM模式布局IDM全产业链；

（3）露笑科技：引进资深科研团队布局碳化硅衬底；

（4）东尼电子：募投项目切入碳化硅衬底业务；

（5）斯达半导：多个SiCMOSFET模块项目定点提供增长驱动力；

（6）士兰微：士兰明稼启动SiC功率器件生产线；

（7）宏微科技：积极布局SiC封装产线；

（8）扬杰科技：积极布局SiC晶圆及封装产线；

（9）新洁能：积极布局SiC封装产线；

风险提示：客户验证不及预期、扩产进度不及预期。