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2021年12月20日发布

【投资要点】

SiC高性能材料，适用于高压、高频场景。与Si相交，SiC禁带宽度更大，热导率、击穿电厂强度更高，在高压高频等应用场景具有优势。与SI器件相较，SiC器件的特性有1）耐高温，SiC器件的极限工作温度为600℃以上，Si器件不能超过300℃。2）易散热，SiC材料的热导率是Si的2-3倍，因此SiC器件对散热设计的要求更低。3）低损耗，相同规格下，SiCMOS的总能量损耗较SiIGBT降低70%。4）可实现更高的工作频率。因此SiC器件适用于高频率开关、650V-3.3kV高压场景，目前制约SiC大规模应用的因素是价格，我们预计随着上游衬底产能逐步释放，良率提高，价格或将逐步降低。

SiC市场进入风口期。根据Yole数据，全球SiC功率器件市场规模将从2019年的5.4亿美元增加至2025年的25.6亿美元，CAGR为30%，根据CASAResearch数据，2020-2025年中国SiC、GaN电力电子器件市场规模CAGR为45%，新能源汽车和光伏储能是SiC功率器件增长的主要推动力。补能焦虑是新能源汽车阿喀琉斯之踵，汽车800V高压平台技术逐渐冒尖，使用SiC的新能源汽车系统成本或与使用Si器件成本相差不大，因此我们认为汽车高压平台涌现促进SiC器件渗透率提升。此外SiC器件能够促进能源高效转换，在光伏储能领域也起着至关重要作用，CASA预计至2025年光伏逆变器中SiC器件占比将提升至50%。

产能扩张+衬底尺寸扩大是未来的趋势。SiC晶圆制造难度较大，全球SiC晶圆供给紧张，美国在SiC晶圆市占率较高，我们认为主因发达国家较早布局SiC晶圆片。各国纷纷布局SiC产业，通过产能扩张和扩大衬底尺寸缓解产能紧平衡的状态，中国也在加大投资力度缩小与国外差距。中国与全球在SiC产业的差距表现有：1）衬底：目前全球SiC衬底从6寸向8寸逐渐演变，中国SiC商业化衬底以4寸为主，正在逐步向6寸过渡。2）外延：全球6寸SiC外延已商业化，且研制出8寸产品，而国内基本实现4-6寸外延供给。3）器件：全球SiC器件电流和电压设计大于中国，全球量产SiC二极管电压分布在600V-3300V，电流覆盖2A-100A，SiC晶体管量产产品击穿电压主要分布在650V-1700V，导通电流超过100A，推出的SiCMOS最高导通电流和击穿电压分别为140A和6500V,而中国二极管覆盖电压为650V-1700V，电流达到50A，SiCMOS电压覆盖650V、1200V和1700V。

SiC行业技术壁垒较高。SiC衬底成本在SiC器件制造成本中占比较高，目前PVT为主流晶体生长法，工艺难点包括1）生长环境苛刻，黑匣子操作难以控制；2）生长速度慢，晶体尺寸扩大难；3）SiC存在加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。在器件制造过程中，主要挑战在于设备和工艺以及材料的选择和供应。

【配置建议】

投资建议。SiC作为功率器件行业皇冠上的明珠，发展正当时，建议关注全产业布局公司三安光电，衬底制造公司天岳先进、晶盛机电、露笑科技、东尼电子，外延公司凤凰光学、瀚天天成、东莞天域，器件制造公司时代电气、斯达半导、士兰微、华润微等。

【风险提示】

风险提示。SiC工艺难度大，研发不及预期；衬底成本降低不及预期，或影响SiC渗透率；产能扩张不及预期。