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2021年07月21日发布

核心观点

第三代半导体大势所趋，新能源汽车为其带来巨大增量：第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等，根据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44%。目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。

国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。

国内厂商碳化硅衬底产品均以4英寸为主，6英寸正在逐步实现量产。天科合达、露笑科技、三安光电等厂商主要生产导电型碳化硅衬底，山东天岳主要生产半绝缘型碳化硅衬底。天科合达、露笑科技和晶盛机电布局碳化硅长晶设备。产能/收入方面：2020年CREE收入约4.7亿美元，山东天岳约4.3亿元，天科合达1.6亿元（2019年），露笑科技500台炉子产值预估约15亿元收入（25万片/年），三安光电衬底年产能规划约3.6万片。

投资建议。建议关注：设备厂商：露笑科技、三安光电、晶盛机电；衬底厂商：三安光电、露笑科技、天科合达、山东天岳等；外延厂商：瀚天天成、东莞天域等；器件厂商：三安光电、比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技等。

风险分析：碳化硅良率提升不及预期；疫情缓和不及预期；